【台湾《工商时报》10月18日报道】日本经济产业省已核准台积电在熊本县第二工厂生产3纳米制程先进芯片的计划。这将是日本国内首度有厂商制造3纳米制程芯片，意味着台积电在日本的布局进入新阶段。 　　这次经产省核定的内容为第一阶段计划，台积电后续可依据日本政府的追加支持，进一步扩充产能。据熊本电视台报道，熊本县知事木村敬对此表示，“这项计划将带动新一波创造性发展，令人鼓舞”。 　　《日本经济新闻》表示，经产省已将台积电熊本二厂列为补助对象。该厂规划将生产3纳米先进芯片，预计2028年12月正式投产，至于最终产能，将视日本政府提供的补助金额而定。日本政府原先规划将提供7320亿日元(100日元约合4.23元人民币——本报注)补助。 　　《朝日新闻》指出，台积电熊本二厂仍在建设中，这座工厂与已投产的台积电熊本第一工厂相邻。 　　台积电先前想在二厂制造6纳米与12纳米等制程的芯片、月产能4.8万片晶圆，同时还规划生产40纳米制程芯片。不过，今年2月计划突然出现变动，转向3纳米制程技术生产，月产能则缩减至6000片。 　　外界认为，台积电这次改变熊本二厂的生产计划，主要是考虑人工智能需求增加，因而切换成更高性能的产品。至于产能减少，则是为了生产更高性能的产品。 　　【新加坡《联合早报》网站10月19日报道】据韩国媒体报道，韩国三星电子首次与台积电合作，为美国科技巨企英伟达制造下一代定制高带宽内存(HBM)的底层逻辑芯片。 　　《首尔经济日报》18日引述业界人士的话称，英伟达已向三星电子、SK海力士及美光三家供应商提出统一要求，采用台积电的3纳米工艺制造英伟达的HBM底层逻辑芯片。 　　报道称，三星经内部评估后，决定接受英伟达的要求，但对于标准版HBM及面向其他客户的产品，三星仍将保留全包生产策略。 　　业界人士透露，三星也正评估利用自家晶圆代工制程生产英伟达HBM底层逻辑芯片的可行性，以因应未来台积电产能可能不足的情况。